三星：3nm代工市場(chǎng)2026年將達(dá)242億美元規(guī)模

2025-11-25 16:41:33 分類(lèi)：熱點(diǎn) 閱讀(297)

三星電子Foundry代工部門(mén)高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022年半導(dǎo)體EUV全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。工市

他表示，場(chǎng)年到2026年，將達(dá)重慶外圍空姐（微信156-8194-*7106）重慶真實(shí)可靠快速安排全球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到242億美元規(guī)模，億美元規(guī)較今年的工市12億美元增長(zhǎng)將超20倍。

目前，場(chǎng)年三星電子是將達(dá)唯一一家宣布成功量產(chǎn)3納米芯片的公司，隨著三星電子、億美元規(guī)臺(tái)積電、工市重慶外圍空姐（微信156-8194-*7106）重慶真實(shí)可靠快速安排英特爾等半導(dǎo)體大廠開(kāi)始引進(jìn)EUV設(shè)備，場(chǎng)年工藝技術(shù)不斷發(fā)展，將達(dá)預(yù)計(jì)3納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)。億美元規(guī)

根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，工市截至今年年底，場(chǎng)年在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)最大份額的將達(dá)是5納米和7納米工藝，市場(chǎng)規(guī)模369億美元，未來(lái)其份額將逐步由3納米所取代。他表示，“隨著14納米FinFET工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場(chǎng)的第二位?！?br>
據(jù)稱(chēng)，3納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的MBCFET技術(shù)，較FinFET性能功耗有明顯改善。

“就FinFET而言，性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因?yàn)樗鼈冊(cè)谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β??！?br>
具體來(lái)說(shuō)，在FinFET技術(shù)中性能提升1.3倍但功耗也會(huì)隨著上漲2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍時(shí)，功耗只會(huì)增加1.6倍，相對(duì)來(lái)說(shuō)效率更高。