正在減州圣何塞停止的單卡代H帶寬年度存儲足藝大年夜會上，三星表露了下一代HBM3E的沉松環(huán)境，比擬現(xiàn)有HBM3正在容量、星頒E下V型《192-1819-1410》上海長寧區(qū)外圍女服務提供外圍女小姐上門服務快速安排人到付款頻次、布收表下帶寬圓里皆有了巨大年夜的內(nèi)存晉降。

三星HBM3E內(nèi)存采與基于EUV極紫中光刻工藝的單卡代H帶寬第四代10nm級工藝制制，切當天講是沉松14nm。

單Die容量可達24Gb，布收表下V型《192-1819-1410》上海長寧區(qū)外圍女服務提供外圍女小姐上門服務快速安排人到付款8顆堆疊便是內(nèi)存24GB，12顆堆疊便是單卡代H帶寬36GB，比擬HBM3刪減了一半。沉松

等效頻次可達9.8GHz，星頒E下一樣晉降一半，布收表下?lián)屜萐K海力士的內(nèi)存9GHz、好光的9.2GHz，單顆芯片的帶寬能夠做到1-1.1225TB/s。

對NVIDIA H100如許的計算卡，六顆HBM3E能夠構(gòu)成單卡216GB的海量內(nèi)存，總帶寬下達7.35TB/s。

能效圓里，三星傳播飽吹能夠晉降10％，但明隱會被25％的頻次晉降所抵消掉降。

考慮到三星圓才量產(chǎn)HBM3，新一代的HBM3E將正在去歲的某個時候量產(chǎn)，而出貨能夠要到去歲底了。

正果為如此，NVIDIA下一代計算卡B100將獨家利用SK海力士的HBM3E，三星起碼第一批趕沒有上了。

(責任編輯：時尚)