三星攜手美企SiliconFrontlineTechnology改善3納米良率，希望趕超臺(tái)積電
作者:探索 來源:綜合 瀏覽: 【大 中 小】 發(fā)布時(shí)間:2025-11-24 16:31:42 評論數(shù):
援引韓媒Naver報(bào)道，星攜三星已經(jīng)與美國的手美善納SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半導(dǎo)體芯片在生產(chǎn)過程中的米良太原外圍（外圍預(yù)約）外圍女價(jià)格（微信181-8279-1445）提供一二線城市真實(shí)上門外圍上門外圍女，快速安排30分鐘到達(dá)良率，以便于在3納米工藝上趕超臺(tái)積電。率希
報(bào)道中稱，望趕三星電子先進(jìn)制程良率非常低，超臺(tái)自5納米制程開始一直存在良率問題，積電在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。星攜據(jù)傳三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來，手美善納良率不超過20%，米良太原外圍（外圍預(yù)約）外圍女價(jià)格（微信181-8279-1445）提供一二線城市真實(shí)上門外圍上門外圍女，快速安排30分鐘到達(dá)量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。率希
三星目前在4納米和5納米工藝節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了與產(chǎn)量有關(guān)的望趕問題，該公司不希望這個(gè)問題再次出現(xiàn)在3納米工藝上。超臺(tái)因此希望通過和SiliconFrontlineTechnology公司合作，積電幫助三星晶圓廠進(jìn)行前端（front-end）工藝和芯片性能改進(jìn)。星攜
IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評估和ESD（靜電放電）預(yù)防技術(shù)。ESD是造成半導(dǎo)體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設(shè)備和金屬之間的摩擦造成的。據(jù)報(bào)道，三星在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中已經(jīng)與SiliconFrontline公司合作了很長時(shí)間，并取得了令人滿意的結(jié)果。該公司現(xiàn)在將在芯片驗(yàn)證過程中使用該公司的技術(shù)。
報(bào)道中稱，望趕三星電子先進(jìn)制程良率非常低，超臺(tái)自5納米制程開始一直存在良率問題，積電在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。星攜據(jù)傳三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來，手美善納良率不超過20%，米良太原外圍（外圍預(yù)約）外圍女價(jià)格（微信181-8279-1445）提供一二線城市真實(shí)上門外圍上門外圍女，快速安排30分鐘到達(dá)量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。率希
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IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評估和ESD（靜電放電）預(yù)防技術(shù)。ESD是造成半導(dǎo)體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設(shè)備和金屬之間的摩擦造成的。據(jù)報(bào)道，三星在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中已經(jīng)與SiliconFrontline公司合作了很長時(shí)間，并取得了令人滿意的結(jié)果。該公司現(xiàn)在將在芯片驗(yàn)證過程中使用該公司的技術(shù)。