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    三星電子Foundry代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022年半導體EUV全球生態系統會議”上發表了演講。工市

    他表示，場年到2026年，將達南通外圍全球資源（微信156-8194-*7106）南通外圍全球資源提供全國外圍高端商務模特伴游全球3納米工藝節點代工市場將達到242億美元規模，億美元規較今年的工市12億美元增長將超20倍。

    目前，場年三星電子是將達唯一一家宣布成功量產3納米芯片的公司，隨著三星電子、億美元規臺積電、工市南通外圍全球資源（微信156-8194-*7106）南通外圍全球資源提供全國外圍高端商務模特伴游英特爾等半導體大廠開始引進EUV設備，場年工藝技術不斷發展，將達預計3納米工藝將成為關鍵競爭節點。億美元規

    根據Gartner數據，工市截至今年年底，場年在晶圓代工市場中占據最大份額的將達是5納米和7納米工藝，市場規模369億美元，未來其份額將逐步由3納米所取代。他表示，“隨著14納米FinFET工藝的推出，三星電子已經上升到代工市場的第二位。”

    據稱，3納米節點需要新的器件結構以提升性能，率先實現量產3nm工藝的三星使用了環柵（GAA）晶體管結構的MBCFET技術，較FinFET性能功耗有明顯改善。

    “就FinFET而言，性能隨著引腳數量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因為它們在相似的水平上提高了性能和功率。”

    具體來說，在FinFET技術中性能提升1.3倍但功耗也會隨著上漲2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍時，功耗只會增加1.6倍，相對來說效率更高。