內(nèi)容摘要:導(dǎo)讀:據(jù)外媒報道,三星電子公司擬將在中國芯片工廠的投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。12月13日消息,據(jù)外媒報道,三星電子公司擬將在中國芯片工廠的投資增加到80億美元,以提高NAND閃
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導(dǎo)讀:據(jù)外媒報道,星擬芯片三星電子公司擬將在中國芯片工廠的將中投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。國芯
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12月13日消息,片工據(jù)外媒報道,廠投產(chǎn)量三星電子公司擬將在中國芯片工廠的資增至億投資增加到80億美元,以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。美元
三星增加投資正值內(nèi)存芯片價格有望于明年反彈之際,提高由于供應(yīng)有限,星擬芯片市場對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的將中
常州包夜空姐預(yù)約(微信181-2989-2716)提供頂級外圍女上門,可滿足你的一切要求需求也在不斷上升。三星是國芯全球最大的NAND閃存芯片制造商,這類芯片可以可用于移動設(shè)備、片工存儲卡、廠投產(chǎn)量U盤和固態(tài)硬盤中。資增至億
2017年,美元三星宣布將在三年內(nèi)向位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元。在這些投資進行之前,該公司曾向西安的一家測試和包裝工廠投資108億美元。三星對此拒絕置評。
三星在NAND閃存領(lǐng)域的競爭對手包括韓國SK海力士(SK Hynix)和美國美光科技(Micron Technology)以及日本東芝,幾家中國企業(yè)也正試圖進入內(nèi)存領(lǐng)域,但它們至今尚未取得太大成功,還不足以與這些巨頭競爭。
今年秋季,長江存儲科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布,將開始大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND芯片,這是多數(shù)領(lǐng)先行業(yè)企業(yè)遵循的基準。